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OCXO恒温晶振_高精度晶振生产厂家_浙江赛思电子科技股份有限公司 网站首页 关于SAISI 公司介绍 生产设备 产品中心 无源晶振 SMD贴片晶振 KHz谐振器 49s系列 有源晶振 有源晶振SPXO 差分晶振DXO 压控晶振VCXO 超低相噪晶振 恒温晶振 恒温晶振OCXO(超低相噪) 恒温晶振OCXO(超高稳) 恒温晶振OCXO(抗振) 温补晶振 TCXO温补晶振 时钟芯片 时钟发生器 时钟缓冲器 SLIC芯片 单路SLIC 双路SLIC 原子钟 芯片原子钟 CPT原子钟 铷原子钟 产品模块 时钟模块 晶振模块 差分晶振 差分晶振DXO 服务支持 解决方案 服务支持 技术创新 人才研学中心 新闻资讯 晶振百科 公司资讯 联系我们 样品│代理申请 研产基地 haijingpan@zjsaisi.com +86-15347835465 网站首页 关于SAISI 公司介绍 生产设备 产品中心 无源晶振 有源晶振 恒温晶振 温补晶振 时钟芯片 SLIC芯片 原子钟 产品模块 差分晶振 服务支持 解决方案 服务支持 技术创新 人才研学中心 新闻资讯 晶振百科 公司资讯 联系我们 样品│代理申请 研产基地 中文 PRODUCT CENTER 产品中心 全系列时频产品 · 端到端解决方案 无源晶振 有源晶振 恒温晶振 温补晶振 时钟芯片 SLIC芯片 原子钟 产品模块 差分晶振 基本参数：封装尺寸：1.6×1.2mm，超薄金属 4 脚贴片频率范围：24‑60MHz频率精度：常规 ±10ppm/±20ppm负载电容：8pF、10pF、12pF 可选温度范围：工业级‑40℃~+8 查看更多 基本参数：封装尺寸：2.0x1.6x0.59mm，4 脚金属贴片封装频率范围：12‑60MHz频率精度：常规 ±10ppm / ±20ppm负载电容：6~specify温度范围：工业级‑40℃~+85 查看更多 基本参数：封装尺寸：2.5x2.0x0.5mm，4 脚金属贴片封装频率范围：12‑80MHz频率精度：常规 ±10ppm / ±20ppm / ±30ppm 可选负载电容：6~specify温度范围： 查看更多 基本参数：封装尺寸：3.2x2.5x0.7mm，4 脚金属贴片频率范围：8‑80MHz频率精度：常规 ±10ppm / ±20ppm负载电容：6~specify温度范围：工业级‑40℃~+85℃产品优 查看更多 基本参数：封装尺寸：5.0x3.2x0.8mm，4 脚金属贴片封装频率范围：8‑54MHz频率精度：常规 ±10ppm / ±20ppm负载电容：6~specify温度范围：工业级‑40℃~+85℃产 查看更多 基本参数：封装尺寸：6.0x3.5x0.59mm，4 脚金属贴片封装频率范围：8‑100MHz频率精度：常规 ±10ppm / ±20ppm负载电容：12pF、16pF、20pF 可选温度范围：工业级 查看更多 基本参数：封装尺寸：7.0x5.0x0.7mm，4 脚金属贴片封装频率范围：6-100MHz频率精度：常规 ±10ppm / ±20ppm负载电容：6~specify温度范围：工业级‑40℃~+85℃ 查看更多 基本参数：封装尺寸：5.0x3.2x1.0mm，2‑Pin贴片陶瓷基座频率范围：12‑60MHz频率精度：常规 ±10ppm / ±20ppm负载电容：6~specify温度范围：工业级‑40℃~+8 查看更多 基本参数：封装尺寸：6.0x3.5x1.0mm，2‑Pin贴片陶瓷基座频率范围：8-80MHz频率精度：常规 ±10ppm / ±20ppm负载电容：6~specify温度范围：工业级‑40℃~+85 查看更多 基本参数：封装尺寸：8.0x4.5x1.6mm，2‑Pin贴片陶瓷基座频率范围：4-80MHz频率精度：常规 ±10ppm / ±20ppm负载电容：6~specify温度范围：工业级‑40℃~+85 查看更多 基础参数·2520 (2.5×2.0mm)贴片封装·有源差分输出晶振·内置振荡电路，上电输出差分时钟，无需外接匹配电容核心特点·小型贴片封装，节省 PCB 空间，适配设备小型化·差分信号输出，抑制共模 查看更多 基础参数·7050 (7.0×5.0mm)贴片封装·有源差分输出晶振·内置振荡电路，上电输出差分时钟，无需外接匹配电容核心特点·封装余量充足，散热抗震性能好，宽温环境稳定性强·差分信号输出，有效抑制共 查看更多 基础参数·5032 (5.0×3.2mm)贴片封装·有源差分输出晶振·内置振荡电路，上电输出差分时钟，无需外接匹配电容核心特点·封装空间充足，电气冗余大，抗震耐温，工况适应性强·差分输出，有效抑制共模 查看更多 基础参数·3225 (3.2×2.5mm)贴片封装·有源差分输出晶振·内置振荡电路，上电输出差分时钟，无需外接匹配电容核心特点·封装尺寸适中，电路余量充足，兼顾小型化与电气性能·差分信号输出，有效抑制 查看更多 基础参数·7050 (7.0×5.0mm)贴片封装·有源器件，内置振荡电路，通过外部控制电压连续调节输出频率，无需外接匹配电容核心特点·封装冗余空间大，抗震耐温，宽温工况稳定性优异·频率调谐线性度好， 查看更多 基础参数·5032 (5.0×3.2mm)贴片封装·有源晶振，内置振荡电路，依靠外部控制电压连续微调输出频率，无需外接匹配电容核心特点·封装空间充足，电气余量大，抗震耐温，工作稳定性强·电压调谐线性度 查看更多 基础参数·3225 (3.2×2.5mm)贴片封装·有源器件，内置振荡电路，可通过外部控制电压微调输出频率，无需外接匹配电容核心特点·尺寸适中，PCB 布板便捷，兼顾小型化与电气冗余·支持电压调谐，线 查看更多 压控晶体振荡器，集成一体化，外围电路极简；CMOS、LVDS、LVPECL、HCSL多输出、宽频率与封装适配；- 40℃~85℃宽温工作、抗干扰能力强；高稳定、低相位噪声。适用于5G通信基站、光传输模 查看更多 基础参数·2016(2.0×1.6mm)微型贴片封装·内置振荡电路，供电即输出时钟，无需外接匹配电容核心特点·超小体积，节省 PCB 空间，满足产品小型化需求·起振稳定，抗干扰强，简化硬件电路，降低调 查看更多 基础参数·2520(2.5×2.0mm)贴片封装·内置振荡电路，供电即可输出时钟信号，无需外接匹配电容。核心特点·小型贴片封装，占用 PCB 面积小，兼顾体积与电气性能·起振可靠稳定，抗干扰能力强，简 查看更多 25x25x12.7mm，10MHz~120MHz;全温域精密恒温槽控制，抗环境干扰强长寿命、低失效率，适合长期不间断运行卫星授时 / 导航基准、5G/6G 通信基站核心时钟、精密测试测量仪器、原子钟 查看更多 36x27x15.5mm，10MHz~120MHz;全温域精密恒温槽控制，抗环境干扰强长寿命、低失效率，适合长期不间断运行卫星授时 / 导航基准、5G/6G 通信基站核心时钟、精密测试测量仪器、原子钟 查看更多 20.2x20.2x10mm，5MHz~200MHz,全温域精密恒温槽控制，抗环境干扰强长寿命、低失效率，适合长期不间断运行卫星授时 / 导航基准、5G/6G 通信基站核心时钟、精密测试测量仪器、原子 查看更多 25.4x22x12mm，5MHz~200MHz全温域精密恒温槽控制，抗环境干扰强长寿命、低失效率，适合长期不间断运行卫星授时 / 导航基准、5G/6G 通信基站核心时钟、精密测试测量仪器、原子钟 / 查看更多 25x25x12.7mm，5MHz~200MHz全温域精密恒温槽控制，抗环境干扰强、长寿命、低失效率，适合长期不间断运行适用于卫星授时 / 导航基准、5G/6G 通信基站核心时钟、精密测试测量仪器、原 查看更多 36x27x12.7，5MHz~200MHz全温域精密恒温槽控制，抗环境干扰强、长寿命、低失效率，适合长期不间断运行适用于卫星授时 / 导航基准、5G/6G 通信基站核心时钟、精密测试测量仪器、原子钟 查看更多 50x50x15mm，5MHz~200MHz全温域精密恒温槽控制，抗环境干扰强、长寿命、低失效率，适合长期不间断运行适用于卫星授时 / 导航基准、5G/6G 通信基站核心时钟、精密测试测量仪器、原子钟 查看更多 基本参数：封装尺寸：14.4x9.5x6.5mm，SMD 表贴金属封装频率范围：80MHz~120MHz温度稳定度：≤±5ppb（‑40℃~+85℃宽温区间）日老化率：≤±1ppb；年老化优于 ±0. 查看更多 基本参数：封装尺寸：25x25x12.7mm，金属气密封装，DIP直插式频率范围：5MHz~200MHzMHz温度稳定度：≤±5ppb（‑40℃~+85℃宽温区间）日老化率：≤±1ppb；年老化优于 查看更多 基本参数：封装尺寸：36x27x12.7mm，金属气密封装，DIP直插式频率范围：5MHz~200MHzMHz温度稳定度：≤≤±0.5ppb（‑40℃~+85℃宽温区间）日老化率：≤±0.5ppb；年 查看更多 基础参数·2016(2.0×1.6mm)微型贴片封装·内置温度补偿电路，有源器件，上电输出时钟，无需外接匹配电容核心特点·超小型封装，节省 PCB 空间，满足设备小型化设计·内置温度补偿，宽温范围内频 查看更多 基础参数·2520(2.5×2.0mm)贴片封装·内置温度补偿电路，有源器件，上电直接输出时钟，无需外接匹配电容。核心特点·小型化封装，兼顾体积与电气性能，节约 PCB 布局空间·内置温度补偿模块，宽 查看更多 基础参数·3225 (3.2×2.5mm)贴片封装·内置温度补偿电路，有源器件，上电输出时钟，无需外接匹配电容。核心特点·尺寸均衡，电路余量充足，宽温环境下频率稳定性能优异·低相噪、低抖动，温度变化时 查看更多 基础参数·5032 (5.0×3.2mm)贴片封装·内置温度补偿电路，有源器件，上电输出时钟，无需外接匹配电容核心特点·封装余量充足，宽温稳定表现优秀，抗震耐温，可靠性更高·内置温度补偿，温度变化下频 查看更多 基础参数·7050 (7.0×5.0mm)贴片封装·内置温度补偿电路，有源器件，上电输出时钟，无需外接匹配电容核心特点·封装空间大，电路设计冗余充足，宽温环境下频率稳定度优异·低相噪、低抖动，温度漂移 查看更多 基础参数·国产 LVCMOS 扇出时钟缓冲器，QFN‑24 封装，5.0×5.0mm，供电 2.5V / 3.3V，工业温区‑40℃～+85℃，RoHS 无铅·输入：支持单端、差分、晶振三种输入模 查看更多 基础参数·国产高频差分时钟 Buffer，QFN‑40 封装，7×7mm，3.3V 供电，工业温区‑40℃～+85℃，RoHS 无铅·频率支持 DC‑3GHz;双差分输入 + 晶振输入可选;10 路差 查看更多 基础参数·国产 ADPLL 全数字锁相环时钟芯片，40‑VFQFN 封装，6×6mm，3.3V 供电，RoHS 无铅·参考输入：支持 25MHz 外部晶振或单端外部时钟输入，DCO 数字控制振荡器 2 查看更多 基础参数·双通道 FXS 完整方案，7×7mm 封装，3.3V 主供电、3.3V IO 电平，最大负电源‑110V，RoHS 无铅·数字接口：3 线 SSI 串行接口，双通道内置 CODEC 编解码器 查看更多 基础参数·双通道 FXS 完整方案，7×7mm 封装，3.3V 主供电、3.3V IO 电平，最大负电源‑110V，RoHS 无铅封装·数字接口：4 线 PCM+4 线 SPI 接口，双通道内置 CO 查看更多 基础参数·单通道 FXS 完整方案，封装 4×6mm，3.3V 主供电，3.3V IO 电平，最大负电源‑100V，RoHS 无铅封装·接口：4 线 PCM+4 线 SPI，集成 SSI 串行接口，内 查看更多 基础参数·单通道 FXS，4×6mm 封装，3.3V 主供电、3.3V IO，最大负电源‑100V，RoHS 无铅封装·数字接口：3 线 SSI 串行接口，内置 CODEC 编解码器核心功能特点·完整 查看更多 基础参数·国产 CPT 原子钟，尺寸 50.8×50.8×17.8mm，引脚兼容 SA.55，可替代进口同规格 CPT 原子钟·供电：+5V~+12V 宽电压输入;稳态功耗 查看更多 基础参数·国产 CPT 芯片原子钟，尺寸 41×35×12mm，重量 查看更多 查看更多 查看更多 查看更多 查看更多 查看更多 查看更多 查看更多 D2020 封装规格：DIP直插封装，外形尺寸20x20x13mm，标准直插引脚，可焊接PCB或插座插拔安装，方便检修替换；标准输出频率：10MHz，输出波形为HCMOS电平，兼容主流工业电路；装配调 查看更多 D3627时钟模块，36.2x27.3x13mm，模块标准输出8.192MHz~200MHz HCMOS电平信号，支持3.3V/5V直流供电，-40℃~+85℃宽温工作，温度稳定度可达±0.1ppb， 查看更多 D6565 为65x65x18mm DIP直插OCXO高稳时钟模块，5MHz~25MHz标准输出，支持 5V 直流供电，工作温度覆盖 - 40℃~+85℃，温度稳定度≤±0.25ppb，具备超低相位噪 查看更多 D5050 为50x50x18mm DIP 直插 OCXO 高稳时钟模块，5MHz~25MHz标准输出，HCMOS电平输出，支持5V直流供电，工作温度范围 - 40℃~+85℃宽温工业级规格，温度稳定 查看更多 Application Areas 应用领域 精准同步、赋能千百行业 通信领域Communications Sector 服务三大运营商，5G 时频同步市场占有率第一，连续最大份额中标同步网集采项目，为 5G/6G、核心网、接入网、数据中心提... 查看更多 电力能源Electric Power and Energy 晶振在电力能源领域中为电力自动化、继电保护、智能电网、新能源并网等设备提供高精度时钟基准，确保电网同步、数据采集与故障动... 查看更多 轨道交通Rail Transit 晶振为轨道交通各类车载及地面设备提供高精度时钟与频率基准，障信号控制、通信调度、安全监测等系统稳定可靠运行... 查看更多 卫星互联网 晶振是卫星互联网星上载荷、地面站、用户终端的核心时频基准，以超高稳定度、低相位噪声、抗空间辐射、宽温 / 真空适应性，保... 查看更多 工业安防 晶振是工业安防设备基准时钟核心，提供稳定时序、同步信号，保障 IPC 摄像头、NVR 录像机、报警主机稳定运行，赛思电子... 查看更多 消费穿戴 晶振作为消费电子设备的基础时钟器件，为各类智能终端提供稳定的频率与时序信号，智能手机、平板与笔记本电脑、智能穿戴设备、音... 查看更多 Application Areas 品牌实力 助力国产时频产业体系建设 　　浙江赛思电子科技股份有限公司企业总占地面积35000㎡，拥有坚实的国资战略背书，国有资本持股比例超 30%，资本稳健、抗风险能力突出。公司累计斩获70 余项各类自主知识产权，涵盖发明专利、集成电路布图设计、实用新型专利、外观设计专利、计算机软件著作权等，构建起完善的核心技术壁垒。　　公司长期坚持高强度技术研发投入，年度研发费用占比超 30%，技术研发人员占企业总人数 50% 以上，依托充足的研发资金与高素质专业人才梯队，为核心技术持续创新、系列产品快速迭代升级筑牢坚实保障。 　　公司自主研发时钟服务器、时钟模块、频率元器件(晶振、原子钟)、时钟芯片、SLIC 语音芯片等全系列时频产品，搭建起完整时频产业生态布局。旗下核心产品SLIC 语音芯片国产市场占有率超 90%，凭借独家核心技术壁垒稳居行业头部，持续领跑国内国产化替代市场。 　　公司依托省级重点企业研究院、博士后工作站两大高层次创新平台，持续深耕前沿技术研发;现已建立完善的国产化全流程认证体系，配套多级洁净净化车间与全自动智能生产线。凭借高标准研发实验环境、精细化智能制造管控能力，全方位保障产品性能稳定优异、品质全程可溯、订单交付高效准时，为客户提供可靠的国产化时频器件解决方案。 　　拥有200人规模专业研发团队，布局8大研产一体化基地，提供覆盖全国的本地化技术服务与快速响应支持，以强大研发实力与高效交付体系，为客户提供稳定、可靠的时间频率产品与解决方案。 源头厂家国内晶振·研发生产Source manufacturers品类丰富品类齐全·全场景覆盖A wide variety of products品质保障全流程品控·国际标准认证Quality Assurance服务优势快速响应·深度定制Service advantages Client Testimonials 客户见证 1000+客户信赖 10+国家/地区 Latest Updates 获取赛思的最新动态 晶振百科 公司资讯 查看全部新闻 2026-08-28 浙江赛思电子科技有限公司更名公告|股份有限公司 查看更多 2026-08-13 不同封装无源晶振对比：3225/2520/2016/1612 小型化选型参考 查看更多 更多动态 2026-09-21 晶振频率误差多少算合格?消费 / 工控 / 高精度场景参考 2026-09-21 晶振型号识别教程：快速看懂无源 / 有源 / 恒温晶振型号含义 2026-09-20 广电单频网为什么要用 OCXO恒温晶振?多路播出时钟基准方案 选型表单 选型 / 匹配 / 报价 晶振厂家赛思电子专注恒温晶振、温补晶振、有源晶振、无源晶振、差分晶振的晶振品牌。    服务热线 +86-15347835465高精度、高稳定、超小体积端到端晶振器件解决方案总部地址：浙江省嘉兴市南湖区顺泽路1376号研创总部：北京市石景山区中关村科幻产创新中心7层 关于SAISI 公司介绍 生产设备 产品中心 无源晶振 有源晶振 恒温晶振 温补晶振 时钟芯片 SLIC芯片 原子钟 产品模块 差分晶振 服务支持 解决方案 服务支持 技术创新 人才研学中心 扫一扫关注我们 企业公众号售后服务 赛思NTP服务器 Copyright © 2026 浙江赛思电子科技股份有限公司 版权所有 浙ICP备13009760号-7 | 网站地图 | 隐私条款 | 法律声明    +86-15347835465

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浙江赛思电子科技股份有限公司，国内源头晶振厂家，产品线覆盖OCXO 恒温晶振/无源晶振/有源晶振/TCXO 温补晶振/差分振荡器/原子钟/时钟芯片/SLIC用户线路接口芯片等。产品低相噪、小体积、高精度，服务5G通信、电力、工控安防、消费电子等行业，提供晶振定制选型与 FAE 技术支持。